03 июня 2009 | 12:11

Американцы создали диски емкостью 500 гигабайт

Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.

ПОДЕЛИТЬСЯ
Иконка комментария блок соц сети
Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.
Реклама
Реклама
Вопрос от автора
Что вы об этом думаете?
news135
Отправить
Комментарии проходят модерацию редакцией
Показать комментарии

Читайте также
Реклама
Реклама
Join Telegram Последние новости
Лого TengriNews мобильная Лого TengriSport мобильная Лого TengriLife мобильная