Американцы создали диски емкостью 500 гигабайт

ПОДЕЛИТЬСЯ

Американцы создали диски емкостью 500 гигабайт

Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.

ПОДЕЛИТЬСЯ
Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.
Tengrinews
Читайте также
Join Telegram

Курс валют

 502.57  course down  592.2  course up  6.49  course up

 

Погода

location-current
Алматы
А
Алматы 8
Астана 1
Актау 2
Актобе -10
Атырау -4
Б
Балхаш 0
Ж
Жезказган 2
К
Караганда 1
Кокшетау -11
Костанай 2
Кызылорда 0
П
Павлодар -4
Петропавловск -3
С
Семей 3
Т
Талдыкорган 12
Тараз 10
Туркестан -5
У
Уральск -1
Усть-Каменогорск 11
Ш
Шымкент -1

 

Редакция Реклама
Социальные сети