Американцы создали диски емкостью 500 гигабайт

viewings icon comments icon

ПОДЕЛИТЬСЯ

whatsapp button telegram button facebook button

Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.

whatsapp button telegram button facebook button
Иконка комментария блок соц сети
Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.
Tengrinews
Читайте также
Join Telegram Последние новости
Лого TengriNews мобильная Лого TengriLife мобильная Лого TengriSport мобильная Лого TengriAuto мобильная Иконка меню мобильная
Иконка закрытия мобильного меню
Открыть TengriNews Открыть TengriLife Открыть TengriSport Открыть TengriAuto Открыть TengriTravel Открыть TengriEdu Открыть TengriGuide

Курс валют

 533.33  course up  619.98  course up  6.8  course up

 

Погода

location-current
Алматы
А
Алматы 36
Астана 20
Актау 38
Актобе 27
Атырау 33
Б
Балхаш 23
Ж
Жезказган 20
К
Караганда 21
Кокшетау 22
Костанай 31
Кызылорда 22
П
Павлодар 21
Петропавловск 22
С
Семей 31
Т
Талдыкорган 31
Тараз 37
Туркестан 26
У
Уральск 22
Усть-Каменогорск 37
Ш
Шымкент 27

 

Редакция Реклама
Социальные сети
Иконка Instagram footer Иконка Telegram footer Иконка Vkontakte footer Иконка Facebook footer Иконка Twitter footer Иконка Youtube footer Иконка TikTok footer Иконка WhatsApp footer