+7 (777) 001 44 99
ПОДЕЛИТЬСЯ
Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года. Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи. Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений. Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.
Американские ученые компании General Electric создали усовершенствованный способ голографической записи информации, с помощью которого возможно создавать оптические диски емкостью 500 гигабайт, сообщает "Росбалт". Над созданием этих дисков ученые работали с 2003 года.
Обычный лазер способен считывать информацию с таких дисков. Они также поддерживают чтение DVD и Blu-ray-дисков. Поэтому представители компании General Electric хотят предложить новую разработку организациям, работающим с большими объемами данных. Под их прицелом оказались киностудии, телевизионные компании и медицинские учреждения. Постепенно реализация дисков перейдет на сегмент розничной продажи.
Основным барьером для создания новой технологии стало увеличение коэффициента отражения света в толще накопителя. Этот коэффициент американским ученым удалось повысить по сравнению с ранними разработками в 200 раз до современных значений.
Напомним, в конце января разработчики южнокорейской компании Samsung Electronics представили первый 4-гигабитный модуль памяти формата DDR3. Емкость оперативной памяти нового технологии в два раза больше, чем у предыдущих моделей.
